参数 | 值 |
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产品 | MOSFET |
型号编码 | DMN2013UFX-7n: |
说明 | MOSFET W-DFN5020-6 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 400 [库存更新时间:2024-06-03] |
FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 11.5mΩ@8.5A,4.5V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2607pF @ 10V |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 57.4nC @ 8V |
封装/外壳 | W-DFN5020-6 |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 10A(Ta) |